01
锗材料概述
锗的物理化学性质，红外光学与半导体核心应用，全球资源分布及提纯工艺简介。
基础资源
02
多晶锗原料制备
区熔提纯原理，多晶锗锭制备流程，原料纯度检测标准（电阻率法）。
提纯检测
03
单晶生长基础理论
直拉法与VGF法原理对比，热场设计基础，晶体生长核心机制。
生长热场
04
直拉法生长设备与工艺
单晶炉结构解析，籽晶制备安装，引晶、放肩、等径生长与收尾参数控制。
设备工艺
05
掺杂技术
N型（锑、磷）与P型（镓、铟）掺杂剂选择，掺杂量计算与均匀性控制。
掺杂电学
06
晶体缺陷与控制
位错、孪晶、夹杂物、点缺陷的形成机制与抑制策略。
缺陷质量
07
晶体后处理
退火消除热应力，晶体切割定位与X射线衍射定向。
退火定向
08
切割加工
内圆切割与线切割工艺对比，切割液选择及损伤层控制。
切割损伤
09
研磨与抛光
双面研磨工艺，机械抛光与CMP参数优化。
平坦化CMP
10
清洗与干燥
RCA标准清洗法在锗片上的应用，兆声清洗与旋转干燥技术。
清洗干燥
11
化学腐蚀
腐蚀液配方（CP-4等），腐蚀速率控制与表面形貌表征。
腐蚀表面
12
外延生长技术
UHV-CVD与MBE方法，缓冲层技术，锗硅异质结生长。
外延异质结
13
离子注入与退火
离子注入损伤机制，快速热退火（RTA）工艺优化。
注入退火
14
金属化与接触
欧姆接触形成，肖特基势垒调控，退火对接触电阻的影响。
金属接触
15
晶圆检测技术
非接触式电阻率测试，PL与CL缺陷检测。
检测缺陷
16
机械性能与加工应力
脆性断裂特性，加工应力诱导裂纹扩展与抑制。
力学应力
17
表面钝化
自然氧化层特性，原子层沉积Al₂O₃钝化技术。
钝化ALD
18
键合技术
锗与硅、锗与玻璃的阳极键合与共晶键合工艺。
键合封装
19
减薄与背面加工
晶圆减薄工艺，背面金属化与应力调控。
减薄背面
20
划片与裂片
激光划片与机械划片对比，裂片对芯片边缘质量的影响。
划片裂片
21
红外光学锗透镜加工
单点金刚石车削，非球面透镜加工，镀膜前处理。
光学车削
22
锗窗口与整流罩加工
大尺寸窗口变形控制，耐热冲击性能优化。
窗口热冲击
23
锗基光电探测器制备
PIN结构制备流程，暗电流与响应度优化。
探测器PIN
24
锗太阳能电池
多结太阳能电池外延生长，锗衬底回收技术。
电池回收
25
锗在光纤通信中的应用
锗掺杂光纤预制棒制备，锗硅光探测器工艺。
光纤通信
26
质量控制与可靠性
批次一致性控制，加速老化、热循环与机械冲击测试。
质量可靠性
27
安全与环保
锗粉尘防护，含锗废液处理，职业健康安全规范。
安全环保
28
成本控制与良率提升
关键工艺良率损失分析，降本增效策略。
成本良率
29
前沿技术趋势
大直径锗单晶（8英寸以上）生长挑战，柔性锗衬底技术。
前沿大直径
30
综合案例分析
典型失效模式分析：裂纹、位错超标、电阻率不均与解决方案。
案例失效