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本课程属于：010-CMP清洗与晶圆表面工程 先进材料、材料计算与可靠性工程 · 共 10 门相关课程，组合学习更完整。
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CMP选择比与多材料平坦化工程

共计 30 章节
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01
课程导入与工程问题定义
目标=CMP在多材料集成中的作用 · 选择比与平坦化均匀性的矛盾 · 典型工艺挑战与课程路线图
课程导入工程问题定义
02
CMP选择比基础
目标=选择比定义 · 材料去除速率比 · 静态与动态选择比
CMP选择比基础
03
多材料平坦化工程概述
目标=多材料表面拓扑演化 · 碟形凹陷与侵蚀 · 全局与局部平坦化指标
多材料平坦化工程…目标=多材料表面…
04
抛光液化学与选择比调控
目标=pH · 氧化剂 · 络合剂
抛光液化学选择比调控
05
磨料与机械作用对选择比的影响
目标=磨料种类 · 粒径 · 浓度
磨料机械作用对选择比…
06
抛光垫与工艺参数对选择比的作用
目标=垫材硬度 · 孔隙率 · 沟槽结构
抛光垫工艺参数对选择比…
07
选择比表征与测试方法
目标=去除速率测量 · 选择比计算 · 平坦化效率评估
选择比表征测试方法
08
多材料CMP的缺陷与选择比关联
目标=划伤 · 腐蚀 · 残留
CMP多材料
09
浅沟槽隔离CMP选择比工程
目标=氧化物/氮化物选择比要求 · 停止层设计 · 碟形凹陷控制
CMP浅沟槽隔离
10
金属互连CMP选择比工程
目标=铜/钽/氧化物选择比 · 阻挡层去除 · 过抛光与侵蚀控制
CMP金属互连
11
钨插塞CMP选择比工程
目标=钨/钛/氧化物选择比 · 研磨液设计 · 凹陷与侵蚀控制
CMP钨插塞
12
多晶硅与栅极CMP选择比工程
目标=多晶硅/氧化物/氮化物选择比 · 栅极高度均匀性 · 假栅去除工艺
CMP多晶硅
13
介质层CMP选择比工程
目标=SiO2 · SiN · 低k材料选择比
CMP介质层
14
高k金属栅与新型材料CMP选择比
目标=高k/金属栅选择比 · 功函数金属去除 · 多材料界面平坦化挑战
CMP高k金属栅
15
三维集成与TSV CMP选择比工程
目标=铜/氧化物/阻挡层选择比 · TSV露头控制 · 晶圆键合前平坦化
TSVCMP
16
化合物半导体CMP选择比工程
目标=GaN · SiC · InP等材料选择比
CMP化合物半导体
17
选择比与图案密度效应
目标=图案密度对去除速率的影响 · 密度补偿 · 反向掩模与虚拟图形填充
选择比图案密度效应
18
选择比与工艺窗口优化
目标=响应曲面法 · 实验设计 · 选择比-均匀性-缺陷多目标优化
选择比工艺窗口优化
19
终点检测与选择比控制
目标=光学 · 电学 · 摩擦力终点检测原理
终点检测选择比控制
20
抛光液寿命与选择比稳定性
目标=抛光液老化 · 颗粒聚集 · 化学组分消耗
抛光液寿命选择比稳定性
21
清洗与后CMP处理对选择比的影响
目标=清洗液选择 · 腐蚀抑制 · 残留去除
CMP清洗
22
多材料CMP的建模与仿真
目标=去除速率模型 · 选择比模型 · 拓扑演化仿真
CMP多材料
23
选择比失效分析与故障排除
目标=常见选择比异常 · 根因分析 · 工艺调整与案例复盘
选择比失效分析故障排除
24
先进节点中的选择比挑战
目标=FinFET · GAA · 纳米片结构中的多材料平坦化
先进节点选择比挑战
25
选择比与CMP耗材供应链
目标=抛光液 · 抛光垫 · 修整盘选型
CMP选择比
26
选择比工程中的环境与安全
目标=化学品管理 · 废液处理 · 职业健康
选择比工程环境
27
选择比工艺整合与良率提升
目标=CMP与光刻 · 刻蚀 · 沉积的整合
选择比工艺整合良率提升
28
选择比工程实战项目一
目标=针对铜/低k集成 · 设计选择比配方与工艺参数 · 完成平坦化目标与缺陷控制
选择比工程实战项…目标=针对铜
29
选择比工程实战项目二
目标=针对STI或钨插塞 · 进行选择比优化实验 · 数据分析与工艺报告撰写
选择比工程实战项…STI
30
课程总结与前沿展望
目标=选择比工程核心原则 · 多材料平坦化未来趋势 · 新型材料与工艺带来的选择比新问题
课程总结前沿展望